垂直磁場下における4層グラフェン/hBNヘテロ構造量子ドットの電気伝導特性

プログラム
ナンバー
電-2-1
報告年度 2020年度
部会 電気電子工学部会
題目 垂直磁場下における4層グラフェン/hBNヘテロ構造量子ドットの電気伝導特性
著者名 加藤拓、岩﨑拓哉、渡邊賢司、谷口尚、森山悟士、羽田野剛司
キーワード かとうたく、いわさきたくや、わたなべけんじ、たにぐちたかし、もりやまさとし、はたのつよし、グラフェン、 量子ドット
講演要旨 PDF