工学研究所半導体薄膜結晶性評価プロジェクト

次世代電子デバイスの開発につながる半導体薄膜の研究

概要

ウェアラブルデバイス、薄膜太陽電池やフラットパネルディスプレイなど、半導体薄膜を利用した多くの電子デバイスが開発されています。今後は、電子移動度の大きい多結晶シリコン薄膜を用いた電子デバイスが、多くの電子機器における回路に適用されていくと期待されています。このため、多結晶シリコン薄膜形成において、リアルタイムで特性を評価する手法が求められています。本プロジェクトでは交流表面光電圧AC SPV法を用いて、非破壊・非接触で半導体薄膜の結晶性評価を行う新しい手法の確立を目指します。

研究内容

第1期:金属誘起結晶化法によりシリコン薄膜の結晶化を行う。XRD、SEM、EDX結果とAC SPV測定結果との関係から、結晶化過程を調べる。また、AC SPV法による結晶性評価の可能性を判断する。
第2期:金属及びシリコン薄膜の形成条件や試料構造の検討を行い、AC SPV法を用いて結晶化最適条件を探索する。また、シリコン以外の半導体薄膜への適用を探る。

AC SPV装置を使った結晶性の評価
XRDによる構造解析
FE-SEMによる表面観察

プロジェクトメンバー

池田 正則

プロジェクトリーダー/統括、試料作製、交流表面光電圧(AC SPV)法による評価

電気電子工学科/教授
池田 正則

【研究分野】半導体薄膜・表面界面物性、電子・電気材料

プロフィール詳細

千葉 玲一

X線回折(XRD)によるシリコン薄膜の結晶性評価

電気電子工学科/教授
千葉 玲一

【研究分野】電子・電気材料工学、無機材料・物性、複合材料・物性、無機工業材料、機能材料・デバイス

プロフィール詳細

高木 秀有

走査型電子顕微鏡(SEM)による試料表面観察、EDXによる薄膜の組成分析

総合教育/准教授
高木 秀有

【研究分野】金属物性、構造・機能材料

プロフィール詳細